Окисление - Технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов

Обычно первый этап изготовления полупроводниковых приборов включает окисление внешней поверхности пластины, которое позволяет получить тонкую пленку (около одного микрона) диоксида кремния. Эта пленка защищает поверхность кремния от проникновения посторонних химических веществ и служит маской для последующего процесса диффузии. Возможность создавать ("выращивать") на кремнии химически устойчивую защитную пленку диоксида кремния делает кремниевые пластины наиболее широко применяемыми полупроводниковыми подложками.

Окисление, обычно называемое термическим окислением, представляет собой процесс, который выполняют в высокотемпературных диффузионных печах. Защитная пленка диоксида кремния выращивается в атмосфере, содержащей либо кислород (сухое окисление), либо кислород в смеси с водяным паром (жидкостное окисление). Температура в печах поддерживается в диапазоне от 800 до. Также могут добавляться хлористые соединения в виде хлористого водорода (HCl) для контроля нежелательных примесей. На современных предприятиях наблюдается тенденция к применению вертикальных печей окисления. Вертикальные печи лучше соответствуют требованиям строгого контроля загрязнений, большему размеру пластин и делают возможной более равномерную технологическую обработку. Они также позволяют экономить драгоценное место чистых помещений.

Похожие статьи




Окисление - Технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов

Предыдущая | Следующая