Модели источника помех и структура поля в ближней зоне - Проектирование цифровых микросхем и печатных плат

    1. Источники С высоким волновым сопротивлением. Для них эквивалентная схема или модель может быть представлена В виде штыря (антенна-штырь). В окрестностях этого штыря формируется относительно интенсивное электрическое поле (ЭП), и слабое магнитное поле (МП). Как мы помним, Z = UП/IП. Поскольку электрическое поле вызывает напряжение, а магнитное - вызывает ток, получается, что большое ЭП и малое МП обеспечивает высокое волновое сопротивление Z (Z = Е/Н). 2. Источники помех, модель которых может быть представлена В виде токовой петли. При этом возникает интенсивное магнитное поле и слабое электрическое. Эти источники имеют Малое волновое сопротивление.

Рис. 17. Три зоны действия источников

Полученные относительные значения Z действительны для области, которая находится в непосредственной близости от излучателя. На значительных расстояниях основная составляющая поля - та, которая имеет большее значение, убывает быстрее дополнительной составляющей. И в конце концов волновое сопротивление Z становится равным 377 Ом, то есть волновому сопротивлению свободного пространства.

Для первого типа источников основная составляющая - электрическая - убывает пропорционально 1/R3. Дополнительная - магнитная - пропорционально 1/R2. Для источников второго типа ситуация обратная. Магнитная составляющая убывает пропорционально 1/R3, а электрическая - пропорционально 1/R2.

Можно выделить Три зоны действия источников.

    1. Ближняя зона. Здесь преимущественно действует механизм индукции с достаточно четким разделением на магнитную и электрическую составляющие. 2. Переходная зона - зона формирования плоской электромагнитной волны. 3. Дальняя зона - зона действия плоской электромагнитной волны (Т-волны).

Похожие статьи




Модели источника помех и структура поля в ближней зоне - Проектирование цифровых микросхем и печатных плат

Предыдущая | Следующая