Понятия ближней и дальней зоны при анализе экранирования. Структура поля в ближней зоне и в дальней зоне - Проектирование цифровых микросхем и печатных плат

Рецептор - объект, который находится под воздействием электромагнитных помех. Внутри РЭС рецепторами выступают маломощные чувствительные элементы и узлы на их основе. Чем выше быстродействие микросхемы, тем чувствительней она как рецептор. Электронное устройство в целом является рецептором помех для внешних источников.

Источники помех разделяют на источники Естественного и Искусственного происхождения.

ЭМС - это способность аппаратуры функционировать согласно требованиям ТУ одновременно с другими устройствами в реальной электромагнитной обстановке и не создавать при этом недопустимых помех другим потенциальным рецепторам - устройствам, аппаратам и пр.

Источники помех, модель которых может быть представлена В виде токовой петли. При этом возникает интенсивное магнитное поле и слабое электрическое. Эти источники имеют Малое волновое сопротивление.

Рис. 15. Три зоны действия источников

Полученные относительные значения Z действительны для области, которая находится в непосредственной близости от излучателя. На значительных расстояниях основная составляющая поля - та, которая имеет большее значение, убывает быстрее дополнительной составляющей. И в конце концов волновое сопротивление Z становится равным 377 Ом, то есть волновому сопротивлению свободного пространства.

Для первого типа источников основная составляющая - электрическая - убывает пропорционально 1/R3. Дополнительная - магнитная - пропорционально 1/R2. Для источников второго типа ситуация обратная. Магнитная составляющая убывает пропорционально 1/R3, а электрическая - пропорционально 1/R2.

Можно выделить Три зоны действия источников.

    1. Ближняя зона. Здесь преимущественно действует механизм индукции с достаточно четким разделением на магнитную и электрическую составляющие. 2. Переходная зона - зона формирования плоской электромагнитной волны. 3. Дальняя зона - зона действия плоской электромагнитной волны (Т-волны).

Таким образом, при анализе экранирования необходимо разделять задачи локализации электрического, магнитного и электромагнитного полей.

Похожие статьи




Понятия ближней и дальней зоны при анализе экранирования. Структура поля в ближней зоне и в дальней зоне - Проектирование цифровых микросхем и печатных плат

Предыдущая | Следующая