Применение. Создание толстых диэлектрических пленок., Изолирующая основа для структур "кремний на изоляторе". - Пористый кремний

Для создания кремниевых приборов, работающих при высоких напряжениях, существует необходимость в толстых диэлектрических слоях толщиной более 10 мкм. Однако диэлектрические пленки SiO2, получаемые окислением обычного кремния не могут быть толще нескольких микрон. Оказалось, что пористый кремний хорошо подходит для решения этой задачи. Если этот материал подвергнуть термическому окислению, то за счет развитой системы пор молекулы кислорода способны проникнуть на всю толщину пористого кремния и привести к полному его окислению. Оптимальными для этих целей являются слои с пористостью около 50 %. Важно отметить, что процесс формирования диэлектрических пленок с использованием пористых слоев происходит при температурах более низких, чем при традиционном термическом окислении кремния.

Изолирующая основа для структур "кремний на изоляторе".

К середине 1970-х годов плотность элементов в интегральных схемах увеличилась настолько, что необходимо было найти способ исключить токи утечки между ними через кремниевую подложку. Для этого была предложена структура "кремний на изоляторе" (КНИ). КНИ-структура представляет собой основу из диэлектрического материала с выращенным монокристаллическим слоем кремния. В этом случае элементы интегральных схем формируются в объеме слоя, после чего выполняется операция локального окисления по их периметру и каждый элемент становится изолированным от своих соседей. В качестве изолирующей основы КНИ-структур уже в первых экспериментах хорошо зарекомендовал себя окисленный пористый кремний.

Похожие статьи




Применение. Создание толстых диэлектрических пленок., Изолирующая основа для структур "кремний на изоляторе". - Пористый кремний

Предыдущая | Следующая