Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы - Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок

Газотранспортные процессы, в основе которых лежат обратимые химические реакции, широко применяются для получения эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5. Основными достоинствами процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида индия из газовой фазы в проточной системе являются:

    - простота конструктивного оформления процесса; - низкое пресыщение вещества над растущим кристаллом; - сравнительно невысокие температуры кристаллизации, возможность предотвращения загрязнения материалом контейнера; - возможность управления процессом роста изменением скорости потока и концентрации транспортирующего агента; - широкие возможности легирования слоев различными примесями; - возможность автоматизации процесса; - осуществление непрерывного процесса; - возможность получение многослойных структур и заданной морфологии.

Суммарные реакции, наиболее часто используемых для осаждения эпитаксиальных слоев арсенида индия и переноса компонентов, в общем виде мощно представить следующим образом:

    4InГ3+As4+6H2>4InAs+12HГ; (2) 3As+2InГ3+3/2H2>3AsГ+2In+3HГ, (3) 3AsГ+2In>2InAs+AsГ3; (4)

In+As>InAs; (5)

    2InAs+3Г2>InГ3+As2; (6) 2InAs+H2O>In2O+As2+H2; (7)

Где Г - галоген.

Арсенид индия в виде эпитаксиальных слоев получают методами транспортных реакций либо синтезом из элементов, либо пересублимацией соединения. Для переноса чаще всего используют галоиды (трихлориды элементов III и V групп, хлористый водород) и воду. Галоидные системы (хлоридные, йодидные) имеют преимущества перед системой H2O-H, поскольку хлор и йод являются нейтральными примесями для арсенида индия.

Похожие статьи




Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы - Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок

Предыдущая | Следующая