Буферные слои., Выращивание наноразмерных структур., Создание светоизлучающих приборов. - Пористый кремний

Низкопористый кремний (П< 30 %) оказался эффективным буферным слоем при эпитаксии монокристаллических пленок других полупроводников на кремнии. Основным условием выращивания качественных слоев является близость величин постоянных решеток кремния и наносимого материала. Однако можно выращивать слои с большим рассогласованием решеток, если использовать промежуточные (буферные) слои. Использование буферного слоя пористого кремния позволило решить задачу выращивания качественных пленок полупроводников GaAs, PbS, PbTe и др. при выращивании структур на подложке кремния.

Выращивание наноразмерных структур.

В пористом кремнии в ходе электрохимического травления, возможно получать квантовые точки, квантовые нити, элементы с различной фрактальной размерностью. Поэтому пористый кремний с П > 50 % следует рассматривать как один из материалов наноэлектроники. Более того, перспективным может оказаться заполнение пор другими химическими соединениями, что даст возможность формировать дополнительные низкоразмерные элементы в объеме пористого кремния.

Создание светоизлучающих приборов.

Как уже говорилось, основной интерес к пористому кремнию вызван его способностью эффективно, в отличие от монокристаллического кремния, излучать свет в видимом диапазоне. Это может быть использовано для создания значительно более дешевых светоизлучающих устройств (светодиодов, плоских цветных дисплеев).

Похожие статьи




Буферные слои., Выращивание наноразмерных структур., Создание светоизлучающих приборов. - Пористый кремний

Предыдущая | Следующая