Прямое и обратное включение p-n-перехода. Свойства и потенциальные диаграммы. - Основы техники связи

а. схема движения электронов и дырок при прямом (а) и обратном (б) включении p-n- перехода

Рис. А. Схема движения электронов и дырок при прямом (а) и обратном (б) включении p-n - перехода

Рис. B. Схема движения электронов и дырок при прямом (а) и обратном (б) включении p-n - перехода

При включении перехода в прямом направлении (см. рис. а) дырки в левой области будут двигаться к границе раздела, и электроны из правой области также будут двигаться к границе раздела. На границе они будут рекомбинировать. Ток на всех участках цепи обеспечивается основными носителями, сам переход обогащен носителями тока. Проводимость перехода будет большой.

При включении перехода в обратном направлении (см. рис. б) и дырки в левой области будут двигаться от границы раздела, и электроны из правой области также будут двигаться от границы раздела. На границе раздела областей в итоге не останется основных носителей тока. Ток на этой границе будет, обеспечивается очень малым числом неосновных носителей, образовавшихся вблизи тонкого перехода. Проводимость перехода будет малой.

а. потенциальные пороги вблизи p-n- перехода при прямом и обратном включении внешнего напряжения на нем

Рис. 1а. Потенциальные пороги вблизи p-n - перехода при прямом и обратном включении внешнего напряжения на нем

Рис. 1b. Потенциальные пороги вблизи p-n - перехода при прямом и обратном включении внешнего напряжения на нем

Похожие статьи




Прямое и обратное включение p-n-перехода. Свойства и потенциальные диаграммы. - Основы техники связи

Предыдущая | Следующая