Описание параметров ионного легирования., Удаление защитной маски., Описание процесса разгонки., Сохранение выходных файлов. - Создание двумерной модели фотоприемной ячейки КМОП-ФД в среде приборно-технологического моделирования Sentaurus TCAD (Synopsys)

Implant(element=B, dose=6.3e14, energy=80keV, tilt=7)

Удаление защитной маски.

Etch(mat=re)

Описание процесса разгонки.

Diffusion(time=40, Temperature=1000., Atmosphere=N2)

Сохранение выходных файлов.

Save(file=FINAL_BOR2CORRGATES_VERNO, type=mdraw,

EPSLoc=0, EPSAngle=0)

End

Приложение 2

Командный файл для программы электрофизического моделирования Sentaurus Device для модели №2.

1. Описание входных и выходных файлов.

File {

Grid = "./BORODIN_DIOD_3_msh. tdr"

Plot = n@node@

Current = n@node@

}

2. Секция описания электродов

Electrode {

{ Name="SUB" Voltage= @VSUB@

}

{ Name="KONT1" Voltage= ( @VES@ at 0.0

@VES@ at 180.0

@VES@ at 200.0

@VES@ at 1000.0 )

}

{ Name="KONT2" Voltage= (

@VES@ at 0.0

@VES@ at 180.0

@VES@ at 200.0

@VES@ at 1000.0

)

}

{ Name="T4" Voltage= (

@GA_VNAK@ at 0.0,

@GA_VNAK@ at 20.0e-9

@GA_VREAD@ at 40.e-9

@GA_VREAD@ at @TN1@

@GA_VNAK@ at @<TN1+20.0E-9>@

@GA_VNAK@ at @<TN1+80.0E-9>@

@GA_VREAD@ at @<TN1+100.0E-9>@

@GA_VREAD@ at @TSTOP@

)

}

{ Name="T1" Voltage= (

@GA_VNAK@ at 0.0,

@GA_VNAK@ at 60.0e-9

@GA_VREAD@ at 80.0e-9

@GA_VREAD@ at @TSTOP@

)

}

{ Name="T2" Voltage= (

@GA_VNAK@ at 0.0,

@GA_VNAK@ at 60.0e-9

@GA_VREAD@ at 80.0e-9

@GA_VREAD@ at @TSTOP@ )

)

}

3. Секция описания физических процессов, которые будут учитываться в модели.

Physics {

EffectiveIntrinsicDensity( OldSlotboom )

OptBeam (

WaveLength =0.535e-4

WavePower =@PB1@

SemAbs (model=ODB)

SemSurf = 0.05000e-4

SemWindow = (10.8e-4 81.74e-4)

WaveTime = (10.0E-9 1.00)

WaveTsigma = 0.5e-13

SemVelocuty = 0

)

Recombination (

SRH( DopingDep )

)

Temperature=250.0

}

File {

Current = "str"

Output = "log"

}

4. Секция описания электро-физических характеристик, которые должны быть посчитаны в результате моделирования

Plot {

EDensity eCurrent eMobility

Potential

Doping

}

5. Секция описания характеристик математического аппарата.

Math {

Extrapolate Derivatives RelErrControl

Digits=8 NotDamped=30 Iterations=40

RelErrControl Transient=BE NoCheckTransientError

Method = pardiso Number_of_Threads = 4

Number_of_Solver_Threads = 4 ComputeIonizationIntegral

}

6. Секция описания точности схождения модели.

Solve {

Poisson

Transient (

InitialTime=0 FinalTime=@TSTOP@

InitialStep=1e-16 MaxStep=1.0e-2 MinStep=1.0e-17

)

{ Coupled {Poisson Electron Hole }

7. Секция задания временных точек эксперимента, для которых необходимо получить выходные файлы.

Plot (

Fileprefix="n@node@"

Time = (0;

@<TN1+100e-9>@

)

NoOverwrite)

}

}

Приложение 3

Командный файл для программы технологического моделирования DIOS для модели №3

Похожие статьи




Описание параметров ионного легирования., Удаление защитной маски., Описание процесса разгонки., Сохранение выходных файлов. - Создание двумерной модели фотоприемной ячейки КМОП-ФД в среде приборно-технологического моделирования Sentaurus TCAD (Synopsys)

Предыдущая | Следующая