Шаг 6. Диффузия (ионная имплантация) - Характеристика процессоров различных архитектур
Напомним, что предыдущий процесс формирования необходимого рисунка на кремниевой подложке требовался для того, чтобы создать в нужных местах полупроводниковые структуры путем внедрения донорной или акцепторной примеси. Процесс внедрения примесей осуществляется посредством диффузии -- равномерного внедрения атомов примеси в кристаллическую решетку кремния. Для получения полупроводника n-типа обычно используют сурьму, мышьяк или фосфор. Для получения полупроводника p-типа в качестве примеси используют бор, галлий или алюминий.
Для процесса диффузии легирующей примеси применяется ионная имплантация. Процесс имплантации заключается в том, что ионы нужной примеси "выстреливаются" из высоковольтного ускорителя и, обладая достаточной энергией, проникают в поверхностные слои кремния.
Итак, по окончании этапа ионной имплантации необходимый слой полупроводниковой структуры создан. Однако в микропроцессорах таких слоев может насчитываться несколько. Для создания очередного слоя на полученном рисунке схемы выращивается дополнительный тонкий слой диоксида кремния. После этого наносятся слой поликристаллического кремния и еще один слой фоторезиста. Ультрафиолетовое излучение пропускается сквозь вторую маску и высвечивает соответствующий рисунок на фотослое. Затем опять следуют этапы растворения фотослоя, травления и ионной имплантации.
Похожие статьи
-
После формирования кремниевой подложки наступает этап создания сложнейшей полупроводниковой структуры. Для этого в кремний нужно внедрить так называемые...
-
Шаг 5. Травление - Характеристика процессоров различных архитектур
После засвечивания слоя фоторезиста наступает этап травления (etching) с целью удаления пленки диоксида кремния. Часто процесс травления ассоциируется с...
-
Особенности процессоров с архитектурой Penryn - Характеристика процессоров различных архитектур
Инновации, реализованные в архитектуре процессоров Penryn относительно предыдущих процессоров: увеличившееся количество транзисторов - более 410 млн. для...
-
Шаг 4. Литография - Характеристика процессоров различных архитектур
После нанесения и сушки слоя фоторезиста наступает этап формирования необходимого защитного рельефа. Рельеф образуется в результате того, что под...
-
Оптическая литография - Характеристика процессоров различных архитектур
Как известно, одним из важнейших этапов в производстве микросхем является литографический процесс. Литография -- это технология, используемая для...
-
Наложение новых слоев осуществляется несколько раз, при этом для межслойных соединений в слоях оставляются "окна", которые заполняются атомами металла; в...
-
Шаг 3. Нанесение фоторезистива - Характеристика процессоров различных архитектур
После того как кремниевая подложка покроется защитной пленкой диоксида кремния, необходимо удалить эту пленку с тех мест, которые будут подвергаться...
-
В 65-нанометровом производстве применяется целый ряд передовых технологий. Например, самые маленькие в мире серийно изготавливаемые КМОП-транзисторы с...
-
Шаг 1. Выращивание болванок - Характеристика процессоров различных архитектур
Создание таких подложек начинается с выращивания цилиндрического по форме монокристалла кремния. В дальнейшем из таких монокристаллических заготовок...
-
Одновременно с увеличением количества транзисторов улучшаются почти все параметры микропроцессорной технологии, главные из которых -- скорость,...
-
Вывод - Характеристика процессоров различных архитектур
45 нм процессоры были лишь немногим привлекательнее 65 нм предшественников. Основными достоинствами были более низкий уровень тепловыделения, снизилось...
-
Как устроен КМОП-транзистор - Характеристика процессоров различных архитектур
Простейший КМОП-транзистор n-типа имеет три электрода: исток, затвор и сток. Сам транзистор выполнен в полупроводнике p-типа с дырочной проводимостью, а...
-
Светодиод (СИД) представляет собой полупроводниковый прибор с p - n переходом, протекание электрического тока через который вызывает интенсивное...
-
В таблице приведены усредненные типовые значениянекоторых параметров микросхем, выполненных по различным технологиям. В различных справочникахприведенные...
-
Общие характеристики стандарта GSM В соответствии с рекомендацией СЕРТ 1980 г., касающейся использования спектра частот подвижной связи в диапазоне...
-
Микросхема диэлектрический биполярный полупроводниковый Полупроводниковая ИС - это микросхема, которая представляет собой кристалл полупроводника, в...
-
При помощи программы моделирования электрических цепей Fastmean). Программы моделирования электрических цепей (такие как OrCAD PSPICE, Micro-Cap,...
-
В результате анализа различных вариантов построения цифровых сотовых систем подвижной связи (ССПС) в стандарте GSM принят многостанционный доступ с...
-
Внутренние GSM-интерфейсы - Архитектура сотовых сетей связи и сети абонентского доступа
Интерфейс между MSC и BSS (А-интерфейс) обеспечивает передачу сообщений для управления BSS, передачи вызова, управления передвижением. А-интерфейс...
-
Общая характеристика компании Полное наименование предприятие - Общество с ограниченной ответственностью "Бэст Логистик". Сфера деятельности -...
-
Определение переходной характеристики цепи Переходная характеристика цепи: H(t)=hпр(t)+hсв(t) (18) Т. к. воздействие - ток, а реакция - ток на...
-
Физика полупроводниковых структур - Основы микроэлектроники
В полупроводниках существует два основных механизма переноса носителей заряда: 1) Диффузия - направленное перемещение носителей заряда в кристалле в...
-
Технология изготовления ППИС на БТ. Элементы ППИС необходимо изолировать друг от друга что бы необходимые соединения осуществлялись только путем...
-
Нанесение защитной пленки диэлектрика (Si02) - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
После формирования кремниевой подложки наступает этап создания сложнейшей полупроводниковой структуры. Для этого в кремний нужно внедрить так называемые...
-
В настоящее время все более возрастает применение на железнодорожном транспорте радиопередающих и радиоприемных устройств с самыми разнообразными и...
-
Звичайно джерела передають повідомлення з деякою швидкістю, витрачаючи в середньому час Т на передачу одного повідомлення. Продуктивністю джерела...
-
В соответствии с требованиями к ФНЧ - прототипу Баттерворта необходимо: - Определить требования к дискретному ФНЧ (ФНЧД); - Рассчитать порядок ФНЧД; -...
-
Входная и выходная характеристики транзистора с ОЭ несколько отличаются от характеристик транзистора с ОБ. Входной характеристикой транзистора,...
-
Различают транспорт общего пользования (обслуживает сферу обращения и населения), транспорт не общего пользования (предназначен для...
-
Модем - Характеристика современных технических средств дистанционной передачи данных
Модем (аббревиатура, составленная из слов модулятор-демодулятор) - устройство, применяющееся в системах связи и выполняющее функцию модуляции и...
-
От IDSL к ADSL - Архитектура сотовых сетей связи и сети абонентского доступа
Одной из модификаций технологий xDSL является так называемая технология IDSL, имеющая более полную аббревиатуру "ISDN DSL". IDSL (ISDN Digital Subscriber...
-
Основные блоки ПК и их значение - Архитектура персонального компьютера
Архитектура компьютера обычно определяется совокупностью ее свойств, существенных для пользователя. Основное внимание при этом уделяется структуре и...
-
Характеристика груза Груз - это все предметы и материалы с момента сдачи на автомобильное транспортное средство до момента получения потребителя. Грузы...
-
Плотность вероятности шума на выходе амплитудного детектора найдем по формуле /1, с. 410/ (3.1) где ,(3.2) (3.3) Подставляя эти выражения в исходное...
-
Синтез настроек регуляторов в системах автоматического управления методом расширенных частотных характеристик Цель работы: рассчитать оптимальные...
-
Архитектура системы на базе стандарта Н.323 - IP-телефония и традиционные телефонные сети
Рекомендация Н.323 разработана Сектором стандартизации телекоммуникаций Международного союза электросвязи (МСЭ-Т) и содержит описания терминальных...
-
Характеристика логистической инфраструктуры ООО "Мебельная компания ЛЕРОМ" ООО "Мебельная компания ЛЕРОМ" - российское предприятие, созданное в г. Пенза...
-
Преддипломная практика проходит в АО"Грязинское АТП", располагающееся по адресу: г. Грязи, ул. 2-ая Чапаева, 56 В 1954г. В г. Грязи было создано...
-
Характеристики АСКО ПВ 3D - Совершенствование работы станции
Система АСКО ПВ 3D предназначена для: - визуального контроля и регистрации состояния вагонов и грузов (на открытом подвижном составе) на ходу поезда, а...
-
Цель курсовой работы - экономическое обоснование создания оптимальных условий плавания для работы судов (составов) на внутренних водных путях. Основная...
Шаг 6. Диффузия (ионная имплантация) - Характеристика процессоров различных архитектур