Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, Схема транзисторного усилителя низкой частоты - Расчет параметров и режимов работы транзисторных каскадов усилителя низкой частоты

Схема транзисторного усилителя низкой частоты

Упрощенная схема каскада, выполненного на биполярном транзисторе типа р-n-р, включенного по схеме ОЭ, приведена на рисунке 1. На схеме обозначены: R1, R2 - резисторы входного делителя, обеспечивающего нужное смещение на базе транзистора, Rк, Rэ - соответственно коллекторный и эмиттерный ограничивающие резисторы, Rн - сопротивление нагрузки. В простейшем случае резисторы R2 и Rэ могут отсутствовать (R2= ?, Rэ=0), Rг - внутреннее сопротивление источника сигнала (генератора). Свх, Ср - разделительные конденсаторы. Резистор Rэ и конденсатор Сэ образуют цепь отрицательной обратной связи по току эмиттера. Полагаем, что на вход (на базу транзистора) относительно общей точки подается синусоидальный входной сигнал с такой амплитудой, чтобы каскад работал в квазилинейном режиме и на нагрузке выделялся усиленный синусоидальный сигнал. Это обеспечивается соответствующим выбором положения рабочей точки на характеристиках транзистора.

схема каскада усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе1.2 выбор биполярного транзистора

Рисунок 1 - Схема каскада усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе1.2 Выбор биполярного транзистора

В Исходных данных указаны ток и мощность нагрузки, по которым следует определить конкретный тип и марку транзистора из следующих соображений:

А) Допустимое напряжение между коллектором и эмиттером выбирается

На (10-30)% больше напряжения источника питания

Где Uкэ доп - допустимое напряжение по условиям пробоя р-n-перехода.

Б) Максимальный (допустимый) ток коллектора должен быть в (1,52) раза больше тока нагрузки

Iк. доп. 2Iнм

Где мА - амплитуда тока нагрузки;

Iк. доп. - Допустимое (по условиям нагрева) значение тока коллектора.

В общем случае нужно учитывать значение температуры окружающей среды, в зависимости от которой значение допустимого тока изменяется. В данном расчете предполагается "нормальная" температура окружающей среды + (2527)°С.

Вышеперечисленным требованиям удовлетворяет транзистор МП 25А. Он имеет следующие параметры:

Uкэм = 40В, Iкм=80мА, Pкм=0,2Вт, (В расчетах ), , , .

Его входные и выходные характеристики изображены на рисунке 3.

Похожие статьи




Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, Схема транзисторного усилителя низкой частоты - Расчет параметров и режимов работы транзисторных каскадов усилителя низкой частоты

Предыдущая | Следующая