Краткая характеристика пленочных и гибридных интегральных микросхем. Область применения и их преимущества, Пленочные интегральные микросхемы - Интегральные микросхемы
Интегральная микросхема - это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигналов и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и (или) кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации рассматривается как единое целое.
Пленочные интегральные микросхемы
Пленочные интегральные микросхемы имеют подложку (плату) из диэлектрика (стекло, керамика и др.). Пассивные элементы, т. е. резисторы, конденсаторы, катушки и соединения между элементами, выполняются в виде различных пленок, нанесенных на подложку. Активные элементы (диоды, транзисторы) не делаются пленочными, так как не удалось добиться их хорошего качества. Таким образом, пленочные интегральные микросхемы содержат только пассивные элементы и представляют собой ДС-цепи или какие-либо другие схемы.
Пленочные интегральные микросхемы, у которых толщина пленок не более 2 мкм, называются тонкопленочными, а у которых толщина пленок значительно больше - толстопленочными. Разница между этими интегральными микросхемами заключается не столько в толщине пленок, сколько в различной технологии их нанесения.
Пассивные элементы пленочных интегральных микросхем.
При изготовлении пленочных резисторов на подложку наносят резистивные пленки. Подложки представляют собой диэлектрические пластинки толщиной 0,5-1,0 мм тщательно отшлифованные и отполированные. Если сопротивление резистора не должно быть очень большим, то пленка делается из сплава высокого сопротивления, например из нихрома. А для резисторов высокого сопротивления применяется смесь металла с керамикой. На концах резистивной пленки делаются выводы в виде металлических пленок, которые вместе с тем являются линиями, соединяющими резистор с другими элементами. Сопротивление пленочного резистора зависит от толщины и ширины пленки, ее длины и материала. Для увеличения сопротивления делают пленочные резисторы зигзагообразной формы.
Удельное сопротивление пленочных резисторов выражают в особых единицах - омах на квадрат, так как сопротивление данной пленки в форме квадрата не зависит от размеров этого квадрата. Действительно, если сделать сторону квадрата, например, в два раза больше, то длина пути тока увеличится вдвое, но и площадь поперечного сечения пленки для тока также возрастет вдвое: следовательно, сопротивление останется без изменения.
Топкопленочные резисторы по точности и стабильности лучше толстопленочных, но производство их сложнее и дороже. У тонкопленочных резисторов удельное сопротивление может быть от 10 до 300 Ом на квадрат. Точность их изготовления зависит от подгонки. Подгонка состоит в том, что тем или иным способом резистивный слой частично удаляется и сопротивление, сделанное умышленно несколько меньшим, чем нужно, увеличивается до требуемого значения. В течение длительного времени эксплуатации сопротивление этих резисторов мало изменяется.
Толстопленочные резисторы имеют удельное сопротивление от 2 Ом до 1 МОм на квадрат. Их стабильность во времени хуже, чем у тонкопленочных резисторов.
Пленочные конденсаторы чаще всего делаются только с двумя обкладками. Одна из них наносится на подложку и продолжается в виде соединительной линии, затем на нее наносится диэлектрическая пленка, а сверху располагается вторая обкладка, также переходящая в соединительную линию. В зависимости от толщины диэлектрика конденсаторы бывают тонко - и толстопленочными. Диэлектриком обычно служат оксиды кремния, алюминия или титана. Удельная емкость может быть от десятков до тысяч пикофарад на квадратный миллиметр, и соответственно этому при площади конденсатора в 25 мм3 достигаются номинальные емкости от сотен до десятков тысяч пикофарад. Точность изготовления ± 15%.
Пленочные катушки делаются в виде плоских спиралей, чаще всего прямоугольной формы. Ширина проводящих полосок и просветов между ними обычно составляет несколько десятков микрометров. Тогда получается удельная индуктивность 10-20 мГн/мм2. На площади 25 мм2 можно получить индуктивность до 0,5 мкГн. Обычно такие катушки делаются с индуктивностью не более нескольких микрогенри. Увеличить индуктивность можно нанесением на катушку ферромагнитной пленки, которая будет выполнять роль сердечника. Некоторые трудности возникают при устройстве вывода от внутреннего конца пленочной катушки. Приходится для этого наносить на соответствующее место катушки диэлектрическую пленку, а затем поверх этой пленки наносить металлическую пленку-вывод.
Похожие статьи
-
Гибридные интегральные микросхемы - Интегральные микросхемы
Широкое распространение получили гибридные ИС - интегральные схемы, в которых пассивные элементы - пленочные, а активные элементы (резисторы,...
-
Аналитический Метод применим только при линейных нагрузках. Графический Метод применим Для любых нагрузок (линейных или нелинейных), и отличается...
-
Микроэлектроника. Основные понятия. Микроэлектроника - это раздел электроники, охватывающий исследования и разработку качественно нового типа электронных...
-
Гибридные интегральные схемы - Основы микроэлектроники
Гибридная ИС (ГИС) - микросхема которая представляет собой комбинацию пленочных пассивных элементов и активных компонентов расположенных на общей...
-
Расчет электрической емкости представляет весьма сложную физико-математическую задачу. В инженерной практике используются справочные данные, готовые...
-
Принцип спектрального уплотнения (WDM) Потенциальные ресурсы волокна. До настоящего времени на многих коммерческих линиях использовалась скорость...
-
Основные параметры логических интегральных микросхем Входное U1вх и выходное U1вых напряжения логической единицы - значение высокого уровня напряжения на...
-
При помощи программы моделирования электрических цепей Fastmean). Программы моделирования электрических цепей (такие как OrCAD PSPICE, Micro-Cap,...
-
В таблице приведены усредненные типовые значениянекоторых параметров микросхем, выполненных по различным технологиям. В различных справочникахприведенные...
-
В настоящее время разработаны новые способы и устройства нанесения сухого пленочного фоторезиста, обеспечивающие высокую точность нанесения и исключающие...
-
Одновременно с увеличением количества транзисторов улучшаются почти все параметры микропроцессорной технологии, главные из которых -- скорость,...
-
Электрически короткой Будем считать линию, у которой погонная длина L будет существенно меньше минимальной длины волны в спектре сигнала. L << Min...
-
Концепция требуемых навигационных характеристик (RNP) является подходом к установлению требований к точности и надежности аэронавигации в том или ином...
-
Назначение краткая характеристика приспособления Приспособление предназначено для вырубки нестандартных деталей из листового железа. В соответствии с...
-
Цель: рассчитать геометрические параметры элементов печатного монтажа. Рассмотреть минимальные расстояния между элементами печатного рисунка...
-
Методика работы с прибором - Проектирование печатной платы программатора микросхем ПЗУ
Программатор подключается к компьютеру типа IBM PC через параллельный порт с помощью стандартного кабеля от принтера. Если на компьютере только один...
-
Определяем общее число пролетов на магистрали: ; (5.1[3]), Где Lмаг - общая длина ЦРРЛ; Lпрол - длина пролета. Подставляя числовые значения в (5.1[3]),...
-
Характеристики комплекса G1000 Комплекс G1000 представляет собой комплексную полнофункциональную систему, выполняющую пилотажные функции, функции...
-
Рис. 3.1 Автогрейдер (Рис.3.1) широко применяют при строительстве и содержании дорог, а также при аэродромном,' промышленном, гражданском,...
-
В характерных радиочастотных каскадах передатчиков (генераторах с внешним возбуждением), применяются разнообразные радиодетали _ катушки индуктивности,...
-
Система GOODWIN WLL поддерживает радио интерфейс в соответствии со стандартом DECT ETS 300 175 и профиль GAP по ETS 300 474. Поэтому, наряду с...
-
Побутова хімія, призначена для одержувача вантажу та транспортування вантажним перевезенням відправником на автотранспортному засобі, в обов'язковому...
-
Для расчета эксплуатационных экономических показателей работы судна на линии, необходимо предварительно установить характеристики путевых условий по...
-
Шаг 3. Нанесение фоторезистива - Характеристика процессоров различных архитектур
После того как кремниевая подложка покроется защитной пленкой диоксида кремния, необходимо удалить эту пленку с тех мест, которые будут подвергаться...
-
После формирования кремниевой подложки наступает этап создания сложнейшей полупроводниковой структуры. Для этого в кремний нужно внедрить так называемые...
-
Оптоэлектронные устройства нашли свое применение и персональной электронике, в частности в ЭВМ. С момента создания первой ЭВМ встал вопрос о...
-
Основной частью электронной вычислительной машины является процессор или микропроцессор. С развитием научно-технического прогресса повышается требования...
-
Организационно-экономическая характеристика ООО "Аттис" Общество с ограниченной ответственностью "Аттис" создано в соответствии с Гражданским кодексом РФ...
-
Характеристики микросхем, Микросхема ES4318 - DVD-процессоры ESS ES4318, ES4408, ES4408FD
Микросхема ES4318 Основные функции и особенности DVD-процессора ES4318: Выполнен в 208-выводном корпусе PQFP; Полная поддержка декодирования потоков...
-
Ответ: Назначение и область применения конвейера. Гаражные конвейеры применяются для передвижения легковых и грузовых автомобилей и автобусов при...
-
Полупроводниковые твердые схемы - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Твердые схемы представляют собой устройства, состоящие из кристаллов полупроводника, выполняющих функции активных и пассивных элементов схемы без внешних...
-
Микроэлектроника - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Интеграмльная (микро)схемма (ИС, ИМС, м/сх, англ. integrated circuit, IC, microcircuit), чип, микрочимп (англ. microchip, silicon chip, chip -- тонкая...
-
Модель Тип Число и расположение цилиндров Диаметр цилиндра и ход поршня, мм Рабочий обьем, л Степень сжатия Номинальная мощность, кВт Номинальная частота...
-
Иccледование последовательного и параллельного колебательных контуров при гармоническом воздействии Цель работы Изучение последовательного и...
-
Построение структурной схемы автомата (рис. 10) осуществляется по результатам минимизаций функций по картам Карно. Схема состоит из четырех блоков:...
-
Кроме вышеперечисленных искажений в аналоговой ВОСПИ возможно возникновение искажений сигнала в ФПУ при использовании в качестве фотодиодов лавинных...
-
1. Источники С высоким волновым сопротивлением . Для них эквивалентная схема или модель может быть представлена В виде штыря (антенна-штырь). В...
-
ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕКОТОРЫХ ПАРАМЕТРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ - Цифровые устройства и микропроцессоры
Ниже приведены некоторые параметры в отечественном по ГОСТ 19480-89 и международном обозначении. Tзд. р.1,0 / tPHL - время задержки распространения при...
-
Изучение характеристик логических элементов ТТЛ
Предварительные расчеты ,,,, , , , , , , , . Для схемы 1 1) напряжение отпирания транзистора Для кремниевых транзисторов напряжения отпирания равно 0.7В...
-
Первичные сигналы электросвязи и их характеристики. - Основы техники связи
Электрический сигнал, получаемый на выходе преобразователя сообщения (см. рисунок 2.1, глава 2), называется первичным сигналом электросвязи. Параметр...
Краткая характеристика пленочных и гибридных интегральных микросхем. Область применения и их преимущества, Пленочные интегральные микросхемы - Интегральные микросхемы