Фототранзистори - Розрахунок залежності фото електрорушійної сили напівпровідників від довжини хвилі та кута падаючого проміння
Фототранзистор - це напівпровідниковий фотоелектричний пристрій з двома p-n-переходами. Пристрій і принцип дії фототранзистора такі ж, як і біполярного транзистора. Відмінність ж полягає в тому, що зовнішня частина бази є фоточутливою площею, а в корпусі є вікно для пропускання світла (рисунок 12).
Рисунок 12. Конструкція фототранзисторів (а); структура(б); умовне графічне позначення фото транзисторів(в)
Іноді фототранзистор має тільки два виводи: емітер ний і колекторний.
Принцип дій фото транзистора полягає в наступному. В затемненому стані і відсутності вхідного сигналу на базі транзистора закритий і в його колекторному ланцюгу протікає невеликий зворотній струм колекторного переходу. При освітлені базової області промінням світла там відбувається виникнення пар "електрон-дірка". Неосновні носії підхоплюючи полем колекторного переходу і перекидаються в область колектора, а в базі залишається нескомпенсований заряд електронів - основних носіїв - який призводить до зниження потенціального бар'єру емітерного переходу і до інжекції дірок із емітера в базу. Це призведе до збільшення колекторного струму. Колекторний струм, де - коефіцієнт передачі транзистора по струму; - фотострум, виник в базовій області під дією світового вхідного сигналу.
Фото ЕРС - виникнення ЕРС унаслідок опромінення напівпровідників
Рисунок 13. Фотоелемент
В електричному колі фотоелемент який не опромінюється (Рис. 13), електричний струм відсутній, оскільки між катодом і анодом немає вільних носіїв заряду. Під час освітлення фотокатода утворюються фотоелектрони, які прямують до анода, тобто в колі виникає електричний струм. Залежно від матеріалу фотокатода такий прилад може мати різні оптичні властивості. Отже, він може бути чутливим лише до певного діапазону хвиль, наприклад ультрафіолетового випромінювання, і не реагувати на видиме світло. Є фотоелементи, які охоплюють весь спектр видимого світла або чутливі в інфрачервоному діапазоні хвиль. Цю здатність фотоелементів використовують у різних оптичних приладах, зокрема у приладах нічного бачення.
Похожие статьи
-
Рисунок 5. Конструкції фотодіодів (а); структура(б); Умовне графічне позначення фотодіодів(в) Фотодіод являє собою напівпровідниковий фотоелектричний...
-
Фоторезистори використовують в своїй роботі ефект фотопровідності. Фоторезистори виконуються в найрізноманітніших конструктивних варіантах, різного...
-
Актуальність теми Актуальність даної курсової роботи полягає в тому, що останні роки в Фото електроніці досягнуто ряд істотних успіхів. Досить важливу...
-
Визначимо червону межу фотоефекту для напівпровідника з роботою виходу 2 еВ. Розв'язок: Із рівняння Ейнштейна для фотоефекту при умові маємо Частота...
-
Для відкритих трас множник послаблення може бути розрахований за наступною формулою: - модуль коефіцієнта відбиття, величина якого залежить від характеру...
-
Мультивібратори на біполярних транзисторах - Мультивібратори
Мультивібратори на біполярних транзисторах більш за все виконують за симетричною схемою з колекторно-базовими зв'язками (рис. 1,а). Як і для тригера,...
-
AT90S2313 - економічний 8 бітовий КМОН-мікроконтролер, побудований з використанням розширеної RISC архітектури AVR. Виконуючи по одній команді за період...
-
При проектуванні сортувальної станції визначаємо число колій в парках прийому, відправлення, транзитних парках, а також число витяжних та ходових колій....
-
Для реальных структур Сопротивление эмиттерного перехода мало (сотни омов), а сопротивление коллекторного перехода составляет сотни килоом. Допустим, в...
-
Ключевой режим работы транзистора - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
1. Транзисторный ключ с общим эмиттером Наибольшее распространение в цифровой и импульсной технике имеет ключ с общим эмиттером. В схеме - коллекторная...
-
За вихідними даними нам потрібно реалізувати: формувач сигналу, що реалізує функцію 4-х вхідних сигналів за ознакою більшості; формувач сигналів Fx та...
-
При використанні високошвидкісних РРС питома вартість цифрового каналу, зрозуміло, значно нижче, ніж при використанні низькошвидкісних станцій. При цьому...
-
У варіантах реалізації приладу, розглянутих у 1 розділі немає можливості задавати частоту вихідного сигналу, а тільки амплітуду, що не задовольняє умови...
-
Определим параметры нелинейной модели Эберса-Молла. В соответствии с вариантом тип используемого транзистора n-p-n КТ316Г. Транзисторы кремниевые...
-
Метод дискретного підрахунку - Вимірювання частоти
В основу роботи електронно-лічильних або цифрових частотомірів покладено метод підрахунку числа імпульсів N, які поступають на вхід приладу з невідомим...
-
Допустимый коэффициент шума приемника за счет внешних источников определяется следующим образом: (3) Где: Дж/К К Ом (штыревая антенна) = 12 мкВ -...
-
Вибір і обгрунтування елементної бази - Лабораторний стенд-мультиплексор (блок мультиплексування)
При проектуванні цифрових пристроїв однією з важливих задач є вибір елементів. Вибір елементної бази проводиться на основі схеми електричної принципової...
-
Основные схемы включения операционных усилителей - Разработка дифференциального усилителя
Рассмотрим некоторые виды ОУ наиболее часто встречающиеся в линейных схемах. Линейность схемы определяется зависимостью входного и выходного сигнала т....
-
Метод заряду і розряду конденсатора - Вимірювання частоти
Суть цього методу полягає у вимірюванні струму розряду IСр конденсатора, який періодично перезаряджається в такт із вимірюваною частотою fX (рис. 2)....
-
Для налаштування антени булоб добре знати потужність сигналу на виході конвертора. Це можливо зробити знаючи ЕІВП супутника (карти зон покриття тим чи...
-
В громадном большинстве полупроводниковых приборов используется р-п переход (только иногда р-п переход не нужен, например, в фотосопротивлениях, или...
-
Пристрій може виявляти й декодувати сигнали малої амплітуди. Для досягнення цього DVDD, AVDD і VBIAS повинні бути розв'язані, а тракт прийому ?...
-
Схема транзисторного усилителя низкой частоты Упрощенная схема каскада, выполненного на биполярном транзисторе типа р-n-р, включенного по схеме ОЭ,...
-
Схемы ТТЛ _ транзисторно-транзисторной логики - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Разновидности схем ТТЛ Также широко используются на практике разновидности схем ТТЛ: А) схема ТТЛ с тремя состояниями выхода Схемы базовых ТТЛ нельзя...
-
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Оптоэлектроника - область электроники, занимающаяся вопросами преобразования оптических сигналов в электрические и наоборот. Новое направление в...
-
Переключательные полупроводниковые приборы - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
К переключательным полупроводниковым приборам относятся тиристоры, однопереходные и лавинные транзисторы. Тиристоры - это многослойные переключающие...
-
Полевые транзисторы - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводника поперечным электрическим полем...
-
Сквід СКВІД (SQUID) - надпровідниковий квантовий інтерференційний пристрій, являє собою дуже чутливий вимірювальний універсального призначення, у якому...
-
Вступ - Розрахунок радіорелейної лінії прямої видимості
Принцип побудови РРЛ прямої видимості. Радіорелейна лінія являє собою ланцюг приймально-передавальних станцій, антени яких розміщені одна від одної на...
-
Запишемо передаточну функцію замкнутої системи: Знайдемо зображення динамічної похибки замкнутої системи: Випишемо коефіцієнти чисельника і знаменника...
-
Випалювання цегли. - Розрахунок автоматизованої системи управління температурою в тунельній печі
Випалювання цеглини проводиться в тунельній печі з плоским зведенням і верхнім розташуванням пальників. Таблиця 4. Технічна характеристика тунельної...
-
Будую діаграму рівнів (додаток 1). Сигнал Pпрд, передається в передавальну антену, при цьому послаблюється в фідерній лінії на 1дб, далі рівень сигналу...
-
Для виконання розрахунку на контактну витривалість зубів застосовується на-ступна формула: У=zzzу, (3.1) Де z= 1,76; z, z= 274-10; z= 350; К= ККК, (3.2)...
-
Зазвичай в РЛС сантиметрового діапазону у якості малошумлячого підсилювача МШП надвисоких частот НВЧ використовують тільки напівпровідниковий...
-
Розрахунок споживаної потужності від джерела живлення +5В Основними споживачами електроенергії від джерела живлення +5В в розробленій схемі є...
-
Дзеркальні антени мають найбільший КСД при синфазному збудженні розкриву (плоский фазовий фронт хвилі). Параболічний профіль дзеркала забезпечує однакові...
-
Розміри розкриву рупора виберемо по необхідної діаграмі спрямованості у відповідній площині. Ширина діаграми спрямованості пов'язана з розмірами розкриву...
-
Розрахунок робочої частоти Робочу смугу частот антени, що працює на прийом і передачу можна визначити по наступній рівності (1). При урахуванні того, що...
-
Визначається кількість абонентських модулів на ОПС і ПС, що відповідає числу ГТ до УКС. На станції застосовуються два типи модулів: абонентський модуль...
-
Розрахунок проводиться з урахуванням наступних основних вимог: А) напруга UН І номінальний струм IНАпаратури повинні відповідати напрузі і тривалому...
Фототранзистори - Розрахунок залежності фото електрорушійної сили напівпровідників від довжини хвилі та кута падаючого проміння