Фоторезистори - Розрахунок залежності фото електрорушійної сили напівпровідників від довжини хвилі та кута падаючого проміння
Фоторезистори використовують в своїй роботі ефект фотопровідності. Фоторезистори виконуються в найрізноманітніших конструктивних варіантах, різного призначення, по різним технологіям та з різними параметрами, але в загальному вигляді це - чутливий до випромінювання шар напівпровідника прикріплений до ізоляційної підкладки, по краям якого змонтовані струмопровідні електроди. Можливі дві конструкції фото резисторів : поперечна та повздовжня.
В першому випадку електричне поле, прикладене до фото резистору, та світло діють в взаємно перпендикулярних площинах (рис. 1 б), в другому - в одній площині. В повздовжній фоторезисторі збудження здійснюється через електрод прозорий для світлового випромінювання. Поперечний фоторезистор представляє собою майже омівський опір до частот порядку десятків - сотень мегагерц. Повздовжній фоторезистор через конструктивні особливості має значиму електричну ємність, яка не дозволяє рахувати фоторезистор чисто омічним опором на частотах сотні - тисячі герц.
Рис. 1. Фоторезистори (а); поперечна конструкція фоторезистора(б); умовне графічне позначення(в)
Для захисту від атмосферних впливів верхня поверхність фотослоя покрита прозорим лаком. Вся збірка може бути поміщена в захисний корпус, в якому зроблено вікно для проходження випромінювання. Він може включати в себе як цеп постійного струму, тік і перемінного.
При опроміненні фоторезистора зростає його провідність, і відповідно збільшується струм. Вихідні напруги, пропорціональні потоку випромінення, знімається з опору навантаження.
Основними характеристиками фоторезистора являються:
Вольт-амперна характеристика
Це залежності струму в фоторезисторі від напруженості джерела живлення Е при постійному потоці випромінення Ф. Ці характеристики практично лінійні (рис. 2). При Ф=0 через фоторезистор протікає маленький струм; при освітлені струм збільшується за рахунок фотопровідності.
Рисунок 2. Воль-амперна характеристика фоторезистора
Світова характеристика
Ця залежність фотоструму від потоку випромінювання при постійній напрузі джерела. Суттєва не лінійність цих характеристик (рис. 3) пояснюється не тільки збільшенням кількості носіїв з збільшенням потоку випромінювання Ф, але й процесу їх рекомбінації.
Рисунок 3. Світова характеристика фоторезистора
Спектральна характеристика, де - довжина хвилі електромагнітного випромінювання. Ця характеристика обумовлена матеріалом і технологією виготовлення фотошару. Типовий вид цієї характеристики показаний на рисунку 4.
Рисунок 4. Відносні спектральні характеристики фоторезистора
Основними параметрами фоторезисторів являються:
Чутливість:
Номінальне значення фотоструму
Темновий опір
Відношення
Робоча напруга
Значна залежність опору фоторезистора від температури, характерна для напівпровідників, є їх недоліком. Значним недоліком фоторезисторів також є їх інертність, пояснююча великим часом рекомбінації електронів та дірок після припинення дії випромінювання. На практиці фоторезистори застосовуються на частотах сотень герц - одиниць кілогерц. Власні шуми її достатньо значні. Не зважаючи на їх недоліки, фоторезистори широко використовуються в різноманітних схемах автоматики і в багато інших пристроях.
Похожие статьи
-
Рисунок 5. Конструкції фотодіодів (а); структура(б); Умовне графічне позначення фотодіодів(в) Фотодіод являє собою напівпровідниковий фотоелектричний...
-
Фототранзистор - це напівпровідниковий фотоелектричний пристрій з двома p-n-переходами. Пристрій і принцип дії фототранзистора такі ж, як і біполярного...
-
Визначимо червону межу фотоефекту для напівпровідника з роботою виходу 2 еВ. Розв'язок: Із рівняння Ейнштейна для фотоефекту при умові маємо Частота...
-
Актуальність теми Актуальність даної курсової роботи полягає в тому, що останні роки в Фото електроніці досягнуто ряд істотних успіхів. Досить важливу...
-
Мультивібратори на біполярних транзисторах - Мультивібратори
Мультивібратори на біполярних транзисторах більш за все виконують за симетричною схемою з колекторно-базовими зв'язками (рис. 1,а). Як і для тригера,...
-
Розрахунок проводиться з урахуванням наступних основних вимог: А) напруга UН І номінальний струм IНАпаратури повинні відповідати напрузі і тривалому...
-
Дзеркальні антени мають найбільший КСД при синфазному збудженні розкриву (плоский фазовий фронт хвилі). Параболічний профіль дзеркала забезпечує однакові...
-
Характеристики направленості антени Характеристики направленності РПА в першому наближенні можна розраховувати в площинах Е и Н відповідно по формулах...
-
Для відкритих трас множник послаблення може бути розрахований за наступною формулою: - модуль коефіцієнта відбиття, величина якого залежить від характеру...
-
Принципиальная схема усилителя с межкаскадной КЦ второго порядка приведена на рисунке 8.1,а, эквивалентная схема по переменному току - на рисунке 8.1,б....
-
Особливості обробки сигналів в системі мобільного зв'язку з ЦДУ Як відомо, ємність СМЗ обумовлена кількістю абонентів, які вона може обслужити, є дуже...
-
Типові способи й засоби розширення меж вимірювань Розширення меж вимірювання приладів - це важлива техніко - економічне завдання, метою якого є зменшення...
-
LC-генератори гармонійних коливань - Аналітичний огляд генераторів коливань
Індуктивна Трьохточка . На практиці частіше використовують схеми LC-генераторів з автотрансформаторним ЗЗ, у яких напруга ЗЗ знімається із частини...
-
Прилади магнітоелектричної системи (або, інакше, магнітоелектричні прилади) є найпоширенішими стрілочними електровимірювальними приладами. Ці прилади...
-
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Оптоэлектроника - область электроники, занимающаяся вопросами преобразования оптических сигналов в электрические и наоборот. Новое направление в...
-
Сквід СКВІД (SQUID) - надпровідниковий квантовий інтерференційний пристрій, являє собою дуже чутливий вимірювальний універсального призначення, у якому...
-
Визначення необхідної кількості постів обслуговування Навантажувально-розвантажувальні роботи проводяться ручним способом. Визначаємо кількість постів...
-
ВСТУП, РОЗРАХУНОК ГЕОМЕТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ - Розрахунок ромбічної антени для магістрального зв'язку
Горизонтальна ромбічна антена є однією із основних типів антен декаметрового діапазону. Початок її використання відноситься до 30-их років, а подальше...
-
Для міських станцій передбачається приміщення для клієнтів, площа якого приймається з розрахунку на 1 робочий пост: для СТОА до 15 постів -- 8...9 м2....
-
Розрахунок силової частини і вузлів системи керування - Транзисторний перетворювач із дроселем
Розрахунок силової частини 1) Проведемо прикидочний розрахунок мінімальної напруги на вході інвертора, прийнявши спадання напруги на фільтрі 5%: 2)...
-
Розрахунок сортувальної гірки - Проектування залізничного вузла
В залежності від місцевих умов на сортувальній станції для переробки вагонопотоків проектують основні та допоміжні сортувальні пристрої. Основні...
-
Випалювання цегли. - Розрахунок автоматизованої системи управління температурою в тунельній печі
Випалювання цеглини проводиться в тунельній печі з плоским зведенням і верхнім розташуванням пальників. Таблиця 4. Технічна характеристика тунельної...
-
Зазвичай в РЛС сантиметрового діапазону у якості малошумлячого підсилювача МШП надвисоких частот НВЧ використовують тільки напівпровідниковий...
-
Розрахуємо спочатку елементи клавіатури. В клавіатурі використовуються резистори R1, R3, R4, R5, R8, R10, R12, R15, R16, R18, R20, R21, R22, відповідно...
-
При проектуванні сортувальної станції визначаємо число колій в парках прийому, відправлення, транзитних парках, а також число витяжних та ходових колій....
-
Чутливість надпровідної петлі СКВІДів до зміни енергії озволяє використовувати їх у якості датчиків енергії [11]. Передача енергії надпровідному...
-
Вимірювач ємності електролітичних конденсаторів - Мікроконтролерний вимірювач ємності конденсаторів
Однією з найчастіших причин виходу радіоелектронної апаратури з ладу або погіршення її параметрів є зміна властивостей електролітичних конденсаторів....
-
Класифікація конденсаторів і міри безпеки при роботі з ними Залежно від призначення і конструктивною виконання випускають конденсатори: постійної...
-
На відміну від традиційних лінійних ІП, що передбачають гасіння зайвої нестабілізованої напруги на прохідному лінійному елементі, імпульсні ІП...
-
Традиционное решение имеет ряд положительных сторон. Во-первых, простое проектирование. Во-вторых, наличие опытного персонала по строительству и...
-
Моделювання мікрохвильових пристроїв, включених до реальних трактів
Введення Включення мікрохвильових пристроїв до реальних трактів, як правило, супроводжується спотворенням їх функціональних характеристик, що неможливо...
-
Схема управления и интерфейс - Разработка профессионального радиопередатчика систем низовой связи
Схема управления основана на микроконтроллере PIC16C63. Основные характеристики данной микросхемы перечислены в предыдущем пункте. Работа процессора...
-
Определение чувствительности производится с помощью измерительного генератора, уровень входного сигнала которого или нормирован с допускаемой для поверки...
-
Рис.1' Построение внешних скоростных характеристик двигателей сравниваемых автомобилей Трансмиссия автомобиль силовой буксование Внешней скоростной...
-
Останнім часом зарубіжних системах зв'язку інтенсивно розвивається напрямок, пов'язаний з використанням так званих MIMO-технологій (Multiple Input -...
-
Проектирование схемы тактирования АЦП. - Разработка аналого-цифрового преобразователя
Схема тактирования предназначена для подачи тактовых импульсов, а также для подачи стартового импульса на регистр последовательных приближений. Схема...
-
ОХОРОНА НАВКОЛИШНЬОГО СЕРЕДОВИЩА - Цифровий датчик тиску повітря у кабіні літака
Характерною ознакою сучасного науково-технічного прогресу практично у всіх сферах діяльності людини є широке застосування комп'ютерних технологій. Адже...
-
&;nbsp;Искусственные линии задержки. - Оcновы радиоэлектроники
На практике чаще всего в качестве ЛЗ применяют искусственные линии с сосредоточенными параметрами. Такие линии позволяют получить заданное время задержки...
-
Основные конструктивные узлы магнетрона, Анодная система - Многорезонаторный магнетрон
Рисунок 1.1. Устройство многорезонаторного магнетрона: 1 - анодная система; 2 - полые колебательные контуры; 3 - пространство взаимодействия; 4 -...
-
Принцип дії приладів електродинамічної системи (надалі ЕД-приладів) і приклад позначень на шкалі показані на мал. 6. Обертаючий момент створюється в...
Фоторезистори - Розрахунок залежності фото електрорушійної сили напівпровідників від довжини хвилі та кута падаючого проміння