Фотолитография №1, травление №1 (для верхних обкладок конденсаторов, проводников и контактных площадок) - Разработка технологической инструкции на изготовление устройства барьерного автогенератора

Поместить подложку на столик центрифуги;

Нанести фоторезист ФН-11, включить вакуумный прижим, включить центрифугу. Скорость вращения центрифуги 2500 об/мин, время вращения - 1 минута;

Повторить операцию для всех пластин;

Сушить подложки в термостате в течение 15 мин, при Т = 90°С;

Совместить подложку с фотошаблоном №4, экспонировать в течении 1 мин;

Приготовить раствор проявителя: 1% KOH, 99% H2O.

Проявить изображение схемы, поместив подложку в держателе в фарфоровую чашку с раствором проявителя. При непрерывном покачивании чашки следить за проявлением, время проявления 60-120 сек;

Промыть подложку в потоке дистиллированной воды в течение 1 минуты;

Сушить подложку до полного высыхания струей сжатого воздуха, пропущенного через фильтр "Фасто";

Произвести контроль изображения. Изображение должно быть четким с ровными краями, без разрывов;

Поместить пластину в термостат, дубить в течение 5 минут при 120°С.

Извлечь подложку из шкафа и охладить в течение 10 мин в темном месте;

Проверить качество фоторезистивного слоя под микроскопом при 25-кратном увеличении. Слой должен быть гладким, равномерным, глянцевым, без пузырей и отслоений;

Произвести травление никеля (Ni) в растворе: НNО3: Н2О (1:

1);

Промыть проточной дистиллированной водой;

Проконтролировать качество травления визуально под микроскопом;

Произвести травление алюминия (Al) в растворе: Н3РО4: Н2О (6: 4);

Промыть проточной дистиллированной водой;

Произвести травление хрома (Cr) в растворе: НС1 с присадкой Al;

Промыть проточной дистиллированной водой;

Проконтролировать качество травления визуально под микроскопом. В случае необходимости повторить предыдущие два пункта;

Удалить фоторезистивную маску в диоксане;

Промыть дистиллированной водой в течение 1 мин;

Контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом;

При необходимости повторить операцию удаления фоторезиста;

Похожие статьи




Фотолитография №1, травление №1 (для верхних обкладок конденсаторов, проводников и контактных площадок) - Разработка технологической инструкции на изготовление устройства барьерного автогенератора

Предыдущая | Следующая