Элементы ППИС. - Основы микроэлектроники

    1. Разновидность биполярных интегральных транзисторов. 1) Многоэмиттерные транзисторы.

МЭТ - составляют основу класса цифровых схем ТТМ.

Недостатки:

    Ш образование горизонтальных паразитных транзисторов n+ - p - n+. Для того чтобы этого избежать либо увеличивают расстояния между эмиттерами, так чтобы оно превышала диффузионную длину носителей заряда, либо легируют базовый слой золотом. Ш Необходимо уменьшение инверсного коэффициента передачи тока эмиттера для этого искусственно увеличивают сопротивление базы, удаляя омический контакт от активной области транзистора. 2) Многоколлекторные транзисторы.

Это многоэмиттерный транзистор, работающий в инверсном режиме. Составляют основу класса цифровых схем И2Л. Главной проблемой является увеличение коэффициента передачи тока, отсюда следует что коллекторы располагают как можно ближе друг к другу.

3) Транзисторы Шоттки

Составляют основу класса цифровых схем ТТЛШ.

4) Супер в-транзисторы (транзисторы со сверхтонкой базой).

Это транзисторы с коэффициентом усиления от 3000 до 5000, но пробивное напряжение такого транзистора очень низкое, поэтому эти транзисторы ставятся во входных каскадах операционных усилителей.

Проблемы:

    Ш Технические проблемы, две диффузии проводят через одно окно. Ш Оттеснение коллекторного перехода. Ш Принципиальные физические проблемы. 2. Интегральные диоды.

Это диодные включения интегральных транзисторов (испльзуются либо не все контакты, либо некоторые закорачиваются):

    Ш анод - катод (А - К) Ш БК - Э Ш Б - Э Ш БЭ - К Ш Б - К Ш Б - ЭК 3. Интегральные резисторы.

Диффузионные до 20 кОм

Пинч-резисторы до 50-60 кОм

Ионно-легированные резисторы до 200-300 кОм

4. Интегральные конденсаторы.

Конструкция интегрального диффузионного конденсатора:

1 - алюминиевый вывод от верхней обкладки конденсатора; 2 - алюминиевый вывод от нижней обкладки конденсатора; 3 - контакт к подложке; 4 - подложка р-типа; 5 - коллекторная n-область (нижняя обкладка конденсатора); 6 - базовая р-область (верхняя обкладка конденсатора); 7 - пленка окисла кремния.

Похожие статьи




Элементы ППИС. - Основы микроэлектроники

Предыдущая | Следующая