Эквивалентные схемы и системы параметров транзистора - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
1. Физическая Т-образная эквивалентная схема
На рисунке 5.12 приведена физическая Т-образная эквивалентная схема транзистора с общей базой, где:? объемное сопротивление активной области базы (100...400) Ом;
IЭ - генератор тока, отражающий активные свойства транзистора ? эффект передачи тока эмиттера Iэ в цепь коллектора;
? коэффициент передачи тока эмиттера;
Rэ? дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода;
(десятки килоом),
Обычно Iэ>>Iэо, тогда rэ=. Допустим Iэ=1мА, тогда rэ=26 Ом;
Rк ? дифференциальное сопротивление коллекторного перехода,
Rк = сотни кОм;
Ск - барьерная емкость коллекторного перехода;
Сэ - диффузионная емкость эмиттерного перехода.
На рисунке 5.13 приведена эквивалентная физическая Т-образная схема с общим эмиттером, где генератор тока Iб отражает передачу тока базы в цепь коллектора.
Т. к. приращение напряжения коллектора распределено на обоих переходах, то Скэ Ск; rкэ rк;
Схема замещения транзистора эквивалентным четырехполюсником
В справочниках для биполярных транзисторов, как правило, приводятся так называемые малосигнальные h-параметры. Эти параметры удобны для использования, так как при любой схеме включения транзистор может быть представлен в виде активного четырехполюсника (рисунок 5.14), на входе которого действует напряжение U1 и протекает ток I1, а на выходе - напряжение U2 и ток I2. Система уравнений имеет вид
;
.
Указанные h-параметры, входящие коэффициентами в уравнения, имеют следующий физический смысл
- входное сопротивление при коротком замыкании на выходе (по переменному току);
H12 = =0
- коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе (по переменному току), имеет величину порядка 10-5 и в большинстве случаев при расчетах этим коэффициентом из-за его малости пренебрегают;
H21 = =0
- коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе;
H22 = =0
- выходная проводимость транзистора при холостом ходе на входе.
Для транзисторов обычно задают не коэффициенты, , а равные им в первом приближении параметры h21б и h21э соответственно для схем с ОБ и ОЭ.
Связь h-параметров с физическими параметрами для схемы с ОЭ имеет вид
H11 = r'Б + rЭ-(1+);
H12 = rЭ-(1+)/rК;
H21 =;
H22 =.
Дрейфовым называется биполярный транзистор, перенос неосновных носителей заряда в базе у которых происходит в основном за счет дрейфа в электрическом поле. Поле создается из-за неравномерной начальной концентрации примесей в базе, экспоненциально уменьшающейся от эмиттера к коллектору. Например, в n-p-n-транзисторе из-за градиента концентрации акцепторной примеси дырки диффундируют от эмиттерного перехода к коллекторному. Создается избыток положительных зарядов у КП за счет дырок, а у ЭП создается некомпенсированный заряд из отрицательных ионов. В базе создается электрическое поле Е, ускоряющее движение электронов от эмиттера к коллектору со скоростью в 2...5 раз большей, чем диффузия. Граничная частота усиления транзистора увеличивается в 2 - 5 раз.
Технология изготовления дрейфовых транзисторов - метод двойной диффузии.
В сводной таблице 5.1 приведены основные параметры трех схем включения транзистора.
Таблица 5.1
Параметры |
ОЭ |
ОБ |
ОК |
КI |
? десятки - сотни единиц |
?десятки ? сотни единиц | |
КU |
Десятки - сотни единиц |
Десятки - сотни тысяч | |
КР |
Сотни единиц - дес. тысяч |
Десятки - сотни |
Десятки - сотни |
RВХ |
Сотни Ом - ед. кОм |
Единицы - сотни Ом |
Десятки - сотни кОм |
RВЫХ |
Единицы - десятки кОм |
Сотни кОм - единицы МОм |
Сотни Ом |
Р |
0 |
0 |
Похожие статьи
-
Входная и выходная характеристики транзистора с ОЭ несколько отличаются от характеристик транзистора с ОБ. Входной характеристикой транзистора,...
-
Для реальных структур Сопротивление эмиттерного перехода мало (сотни омов), а сопротивление коллекторного перехода составляет сотни килоом. Допустим, в...
-
Ключевой режим работы транзистора - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
1. Транзисторный ключ с общим эмиттером Наибольшее распространение в цифровой и импульсной технике имеет ключ с общим эмиттером. В схеме - коллекторная...
-
Биполярные транзисторы - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Транзисторами называются полупроводниковые приборы, способные усиливать электрическую мощность, имеющие три или более выводов, один или более p-n...
-
Схемы ЭСЛ _ эмиттерно-связанной логики - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Цифровые микросхемы эмиттерно-связанной логики имеют более высокое быстродействие, чем схемы ТТЛ (даже ценой большей рассеиваемой мощности), достигшее в...
-
Схемы ТТЛ _ транзисторно-транзисторной логики - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Разновидности схем ТТЛ Также широко используются на практике разновидности схем ТТЛ: А) схема ТТЛ с тремя состояниями выхода Схемы базовых ТТЛ нельзя...
-
Схема ДТЛ - диодно-транзисторной логики - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Основная схема ДТЛ приведена на рисунке 2.16,а. Здесь диоды VD1, VD2, VD3 и резистор R1 представляют собой конъюнктор (И), элементы VT, R2, R3 _ инвертор...
-
Полевые транзисторы - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводника поперечным электрическим полем...
-
Для реализации ПУ выберем транзистор КТ503А, который является кремниевым, эпитаксиально-планарным п-р-п универсальным низкочастотным маломощным....
-
Переключательные полупроводниковые приборы - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
К переключательным полупроводниковым приборам относятся тиристоры, однопереходные и лавинные транзисторы. Тиристоры - это многослойные переключающие...
-
Полупроводниковый резистор - это полупроводниковый прибор с двумя выводами, построенный на полупроводнике, равномерно легированном примесями. В...
-
Полупроводниковые твердые схемы - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Твердые схемы представляют собой устройства, состоящие из кристаллов полупроводника, выполняющих функции активных и пассивных элементов схемы без внешних...
-
Для целенаправленного изменения свойств полупроводники легируют, т. е. вводят в небольшом количестве атомы примесей, позволяющие управлять типом...
-
"Физические явления при контакте твердых тел" - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
При образовании кристаллической решетки металла внешние валентные электроны оказываются настолько слабо связанными со своими ядрами, что под воздействием...
-
Выбор и обоснование принципиальной схемы предварительного усилителя ФПУ В соответствии со структурной схемой приведенной ранее, ФПУ конструктивно делится...
-
Элементы полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах
Элементы полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах Транзисторы типа п-р-п. Биполярный транзистор типа п-р-п является основным схемным элементом...
-
Основные параметры логических интегральных микросхем Входное U1вх и выходное U1вых напряжения логической единицы - значение высокого уровня напряжения на...
-
Нанесение защитной пленки диэлектрика (Si02) - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
После формирования кремниевой подложки наступает этап создания сложнейшей полупроводниковой структуры. Для этого в кремний нужно внедрить так называемые...
-
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Оптоэлектроника - область электроники, занимающаяся вопросами преобразования оптических сигналов в электрические и наоборот. Новое направление в...
-
"Введение, этапы развития электроники" - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Электроника-область науки, техники и производства, охватывающая изучение физических основ, исследование, разработку и принципы использования приборов,...
-
Расчет элементов эквивалентной схемы - Разработка радиопередающего устройства
Резистивная и реактивная составляющая входного сопротивления транзистора Zвх=rвх+jXвх Zвх=2.131+j-0.112 Мощность возбуждения Коэффициент усиления...
-
Схема усилительного каскада на полевом транзисторе с управляющими p-n-переходом и каналом р-типа показана на рисунке 5. Транзистор включен по схеме с...
-
Целью данного курсового проекта является разработка интегрирующего усилителя с выходным каскадом на транзисторах и проведение графоаналитического расчета...
-
На прошлой лекции мы рассмотрели работу одного р-п перехода (диода). Однако известно, что гораздо большее применение имеют полупроводниковые приборы с...
-
Перспективы развития электроники - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Современные состояние развития электроники заключается в переход от микротехнологии к нанотехнологии. Прогресс в развитии науки и технологии,...
-
Микроэлектроника - Электроника и схемотехника аналоговых устройств
Интеграмльная (микро)схемма (ИС, ИМС, м/сх, англ. integrated circuit, IC, microcircuit), чип, микрочимп (англ. microchip, silicon chip, chip -- тонкая...
-
Схема транзисторного усилителя низкой частоты Упрощенная схема каскада, выполненного на биполярном транзисторе типа р-n-р, включенного по схеме ОЭ,...
-
ФПУ является составной частью линейного тракта и служит связующим звеном между ВОК и приемником. Фотодиоды изготавливаются из разных материалов. Рабочие...
-
Расчет выходного усилителя Расчет К-цепи по постоянному току включает выбор режимов транзисторов и расчет сопротивлений резисторов, обеспечивающих...
-
Выходной каскад для согласования с внешней нагрузкой выполнен по схеме эмиттерного повторителя. При этом RН=50 Ом и ток покоя выбирается достаточно...
-
При помощи программы моделирования электрических цепей Fastmean). Программы моделирования электрических цепей (такие как OrCAD PSPICE, Micro-Cap,...
-
ПУ усиливает электрический сигнал, обеспечивая наибольшее отношение сигнал/шум. Основные требования, предъявляемые к ПУ - минимальные шумы, максимальный...
-
Описание схемы операционного усилителя и его параметры - Разработка генератора с мостом Вина
ОУ 140УД26 [3] К140УД26 - широкополосный прецизионный операционный усилитель со сверхнизким значением входного напряжения шума, высоким коэффициентом...
-
Устройство и принцип действия биполярного транзистора - Полупроводниковые приборы, транзисторы
В отличие от полупроводниковых диодов биполярные транзисторы имеют два электронно - дырочных перехода. Основанием прибора служит пластина полупроводника,...
-
Выбор усилительного полупровдникового прибора Сложность современных радиоэлектронных систем наряду со специфическими радиотехническими требованиями...
-
Описание структурной схемы - Разработка радиопередающего устройства
Рис. 1. Структурная схема РПУ. Проектирование любого устройства начинается с составления структурной схемы. Структурных схем частотной манипуляции много,...
-
Рассчитываем элементы схемы автогенератора, Расчет ГУНа - Разработка радиопередающего устройства
Для улучшения стабильности частоты целесообразно выбрать контур с высокой добротностью (Qнен - добротность ненагруженного контура ) и большим...
-
Разработка функциональной схемы опорного пункта (ОП) Оборудование выполнено в виде стоек, устанавливаемых в пунктах волоконно-оптической линии передачи:...
-
Помимо аналого-цифровых преобразователей (АЦП), работой цифровой логики могут управлять операционные усилители (ОУ) и компараторы, преобразующие...
-
Определим граничную частоту усиления ФПУ. Коэффициент усиления К цепи, как функцию передачи информации линейной цепи, представить в операторной форме...
Эквивалентные схемы и системы параметров транзистора - Электроника и схемотехника аналоговых устройств