Двухуровневая модель процессов в лазере - Технология изготовления соединений, согласующих элементов, сборки источников излучения

Известно множество типов конструкций полупроводниковых лазеров. Они подразделяются на простейшие (гомолазеры) и двойной гетероструктуры, в которых используются резонаторы Фабри - Перо и электронные полоски (полосковые) с селекцией продольных мод, с распределенной обратной связью (РОС), с распределенными брэгговскими отражателями (РБО), связанно - сколото - составные (С3), с внешней синхронизацией мод и так далее. В рамках ограниченного по объему учебного пособия не представляется возможным рассмотреть достаточно подробно все эти конструкции. Поэтому внимание будет уделено только четырем конструкциям, которые чаще всего применяются в оптических передатчиках систем связи. Это многомодовый лазерный диод полосковой геометрии с резонатором Фабри - Перо (обозначается Ф-П), лазер с распределенной обратной связью и распределенными брэгговскими отражателями (РОС, РБО) и лазер с вертикальным резонатором ЛВР.

Конструкция полоскового лазера Ф-П представлена на рисунке 3.

конструкция полоскового лазера ф-п с двойной гетероструктурой

Рисунок 3. Конструкция полоскового лазера Ф-П с двойной гетероструктурой

Название "двойная гетероструктура" обозначает, что эта конструкция имеет двойной слой различных по свойствам полупроводников, прилегающих к активному слою, которые отличают эту конструкцию от простейшего лазера. Полупроводниковые слои оболочки имеют меньший показатель преломления, чем у активного слоя. Благодаря этому, в активном слое создается волновой канал с высокой плотностью носителей зарядов и фотонов. Активный слой имеет толщину около 0,1 е 1 мкм. В нем с помощью источника электрического тока создается инверсная населенность. Внутренние поверхности торцов отшлифованы и превращены в зеркала.

Похожие статьи




Двухуровневая модель процессов в лазере - Технология изготовления соединений, согласующих элементов, сборки источников излучения

Предыдущая | Следующая