Дослідження структурно-функціональних елементів біполярних інтегральних схем


"Дослідження структурно-функціональних елементів біполярних ІС з курсу: "Основи мікроелектроніки"

Мета роботи: Вивчення топології особливостей конструкцій і властивостей ризисторів, конденсаторів, напівпровідникових ІС. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів напівпровідникових ІС різного ступення інтеграції та дослідження особливостей їх єлектричних характеристик.

Опис лабораторної установки:

В лабораторну установку входять:

    * комплекти зі зразками гібридних ІС зі вскритими кришками кор-пусів для вивчення топології та лабораторний макет з комплектом ІС для вимірювання електричних параметрів елементів мікросхем; * мікроскоп МБС-9 з вимірювальним окуляром для візуального вив-чення топології ІС та оцінки геометричних розмірів досліджуваних еле-ментів; * осцилограф та генератор типу С1-112; * мультиметр типу ВР-11А; * планшети зі схемами електричними принциповими і фотографіями топології ІС.

За допомогою вказаних приладів та обладнання проводимо вимірю-вання і дослідження електричних параметрів елементів гібридно-плівкових ІС.

Виконання роботи

1 Вимірюємо геометричні розміри областей вказанних єлементів ІС.

Кристал:l=1.344мм d=1.344;

Колекторна обл.140*75мкм, базова 98*70мкм, емiтерна 28*42мкм.

Напівпровідниковий інтегральний схема транзистор

топология транзистора

Рисунок 1 Топология транзистора

2. Дослідження напівпроводникового резистора

L=196 мкм, d=70 мкм.

А1

А2

А3

R1, Ом

579

542

504

R2, Ом

1620

1580

1430

R3, Ом

16000

15980

14710

F=100кГц А=0,6В

F=250кГц А=0,4В

СКаб=18пФ; R=9.1 кОм

3 Дослідження дифузіонного конденсатора

С=65пФ; СПров=20пФ; СР=1300пФ

4 Визначення паразитні параметри плівкових провідників напівпровідникових ІС

Д=3,8; S=0.0013cм2 ; d=7*10-5;

D - товщина оксидного шару.

5 Дослідження інтегрального біполярного транзистора

IБ=4,3мА; IКі=11,8мА; UКн=0,87В; IKmin=0.9mA; UКЕ=0,2В

UОбщ=IКнRВх

UОбщ=UКЕ=(кТ/q)m ln(1/)

RХх=UОбщ/IКн=73,7 Ом

Передаточні характеристики транзистора

Iб=0,62µA

Uвих

2.09

2

1.75

1.2

1

0.5

0

Uвх

4.9

2.8

2.5

2

1.5

1

0.54

Iб=0.85µА

Uвих

3.1

2.75

2.5

2

1.5

0.5

0

Uвх

4.9

3.5

3

2.5

1.8

0.8

0.42

передаточнi характеристики транзистора при рiзних токах бази

Рисунок 2 Передаточнi характеристики транзистора при рiзних токах бази.

Висновок: в ході лабораторної роботи ми провели дослідження напівпровідникових ІС, зняли залежності їх параметрів від різних факторів.

Похожие статьи




Дослідження структурно-функціональних елементів біполярних інтегральних схем

Предыдущая | Следующая