Жидкофазная эпитаксия арсенида индия - Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок

Несмотря на то, что получение эпитаксиальных слоев из паровой фазы является основным направлением в технологии изготовления полупроводниковых приборов процесс эпитаксиального оста из жидкой фазы в ряде случаев обладает некоторыми преимуществами к примеру

    - при получении сильнолегированных слоев; - p-n переходов высокого качества.

Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия производится с использованием легкоплавких металлов или их смесей, которые могут быть как донорными так и акцепторными примесями в получаемых слоях.

На качество и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев, выращиваемых из жидкой фазы, влияют следующие факторы:

    - скорость охлаждения раствора-расплава; - начальная равновесная температура раствора-расплава; - увеличение веса растворяющего вещества сверх равновесного значения; - соотношение объема расплава и контактирующей площади поверхности подложки с расплавом; - физико-химическая природа растворителя и растворимого вещества; - металлографическое состояние поверхности подложки; - чистота используемых в процессе веществ и конструкционных материалов.

Электронографические и металлографические исследования установили, что слои выращенные в высокотемпературных областях, имеют более совершенную структуру по сравнению с теми, которые получены в низкотемпературных областях.

Похожие статьи




Жидкофазная эпитаксия арсенида индия - Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок

Предыдущая | Следующая