Зависимость параметров ПЛИС от параметров ИИ - Методика обеспечения сбоеустойчивости программируемой логической интегральной схемы для ракетно-космического применения

Существует зависимость быстродействия от энергия излучения, увеличение значения fanout цепей.

Параметры ПЛИС:

    - быстродействие, а именно максимальная глобальная тактовая частота; - потребление; - Задержка глобального тактового сигнала - Задержка распространения сигнала вход-выход - Время установки глобального тактового сигнала

Параметры ИИ:

    - переданная энергия; - поглощенная доза; - кинетическая энергия(керма); - сечение взаимодействия ионизирующих частиц; - коэффициент ослабления; - коэффициент передачи энергии; - коэффициент поглощения энергии; - ионизация;

Таким образом доза смещает заряды МОП-структуры, что приводит к изменения порогового напряжения, задержкам распространения сигнала, и соответственно задержкам глобального тактового сигнала что приводит к снижению быстродействия и к образованию асинхронной логики уязвимой к сбоям. К тому же происходит в кристалле необратимые радиационные дефекты. Энергия переданная частицей вызывает переключения МОП-структуры, а также ее изменение вследствие ее трека, что приводит как следствие к сбоям обратимым и не обратимым отказам. В этом случае изменяется потребление микросхемы в сторону увеличения.

Похожие статьи




Зависимость параметров ПЛИС от параметров ИИ - Методика обеспечения сбоеустойчивости программируемой логической интегральной схемы для ракетно-космического применения

Предыдущая | Следующая